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Samsung明年完成3nm GAA工艺开发

Olivia 2019-09-11 16:12

尽管日本严格管制半导体材料多少都会影响Samsung的芯片、面板的研发和生产,但是上周Samsung依然在日本举行了“Samsung晶圆代工论坛”SFF会议,公布了旗下新一代工艺的进展,其中3nm的工艺明年就完成开发了。

Samsung在10nm,7nm及5nm的节点的进度都会比台积电要晚一些,导致台积电几乎包揽了目前的7nm的芯片订单,Samsung只抢到IBM,NVIDIA及高通部分订单。不过Samsung已经把目标放在了未来的3nm工艺上,预计2021年量产。

在3nm节点,Samsung将从的FinFET晶体管转向GAA晶体管工艺,其中3nm工艺使用的是第一代GAA晶体管,官方称之为3GAE工艺。

根据官方所说,基于全新的GAA晶体管结构,Samsung通过使用纳米片设备制造出了MBCFET,该技术可以显著增强晶体管性能,主要取代FinFET晶体管技术。

此外,MBCFET技术还能兼容现有的鳍式场效应晶体管制造工艺的技术及设备,从而加速工艺开发及生产。

在这次的日本SFF会议上,Samsung还公布了3nm的工艺的具体指标,与现在的7nm的工艺相比,3nm的工艺可将核心面积减少45%,功耗降低50%,性能提升35%。

在工艺进度上,Samsung今年4月份已经在韩国华城的S3 Line工厂生产7nm芯片,今年内完成4nm工艺开发,2020年完成3nm工艺开发。

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